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IKW50N65EH5XKSA1 IGBT-Transistoren INDUSTRIE 14

IKW50N65EH5XKSA1 IGBT-Transistoren INDUSTRY 14 Ausgewähltes Bild
  • IKW50N65EH5XKSA1 IGBT-Transistoren INDUSTRIE 14

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistoren – IGBTs – Einzeln
Datenblatt:IKW50N65EH5XKSA1
Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
Technologie: Si
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Montageart: Durchgangsloch
Konfiguration: Einzel
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1,65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Dauerkollektorstrom bei 25 °C: 80 A
Pd - Verlustleistung: 275 W
Minimale Betriebstemperatur: - 40 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Serie: Trenchstop IGBT5
Verpackung: Rohr
Marke: Infineon Technologies
Gate-Emitter-Leckstrom: 100 nA
Höhe: 20,7 mm
Länge: 15,87 mm
Produkttyp: IGBT-Transistoren
Fabrikpackungsmenge: 240
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: TRENCHSTOP
Breite: 5,31 mm
Teile-Aliase: IKW50N65EH5 SP001257944
Stückgewicht: 0,213383 Unzen

 


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  • HighspeedH5Technologieangebot
    •Best-in-Class-Effizienz bei Hard-Switching- und Resonanztopologien
    • Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation
    •650 V Durchbruchspannung
    •Niedrige Gate-GebührQG
    •IGBT mit vollwertiger RAPID1-Schnell- und Soft-Antiparalleldiode
    • Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
    •Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
    •Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
    •Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/

    •Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
    • Solarkonverter
    •Schweißkonverter
    •Schaltfrequenzumsetzer für den mittleren bis hohen Bereich

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