FDMC6679AZ MOSFET -30 V P-Kanal-Leistungsgraben
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | Macht-33-8 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 20 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 10 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 25 Volt, + 25 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,8 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 37 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 41 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | PowerTrench |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Aufbau: | Einzel |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 46 S |
| Höhe: | 0,8mm |
| Länge: | 3,3 mm |
| Produktart: | MOSFET |
| Serie: | FDMC6679AZ |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Breite: | 3,3 mm |
| Gewichtseinheit: | 0,005832 oz |
♠ FDMC6679AZ P-Kanal-PowerTrench®-MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
Der FDMC6679AZ wurde entwickelt, um Verluste in Lastschalteranwendungen zu minimieren.Fortschritte bei Silizium- und Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on)- und ESD-Schutz zu bieten.
• Max. rDS(on) = 10 mΩ bei VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Max. rDS(on) = 18 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD-Schutzniveau von typisch 8 kV (Anmerkung 3)
• Erweiterter VGSS-Bereich (-25 V) für Batterieanwendungen
• Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen rDS(on)
• Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
• Der Abschluss ist bleifrei und RoHS-konform
• Lastschalter in Notebook und Server
• Energieverwaltung des Notebook-Akkupacks
