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DG441DY-T1-E3 Analogschalter ICs QUAD SPST ANALOG SWITC

DG441DY-T1-E3 Analogschalter-ICs QUAD SPST ANALOG SWITC Ausgewähltes Bild
  • DG441DY-T1-E3 Analogschalter ICs QUAD SPST ANALOG SWITC

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: Analoge Schalt-ICs
Datenblatt: DG441DY-T1-E3
Beschreibung:IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

ANWENDUNGEN

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: Analoge Schalter-ICs
RoHS: Details
Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Koffer: SOIC-16
Anzahl der Kanäle: 4-Kanal
Konfiguration: 4 x SPST
Ein Widerstand - Max: 85 Ohm
Versorgungsspannung - Min: 13 V
Versorgungsspannung - Max: 36 V
Minimale doppelte Versorgungsspannung: +/- 15 V
Maximale doppelte Versorgungsspannung: +/- 15 V
Pünktlich – Max: 250 ns
Ausschaltzeit - Max: 120 ns
Minimale Betriebstemperatur: - 40 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 85 °C
Serie: DG
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Vishay / Siliconix
Höhe: 1,55 mm
Länge: 10 mm
Pd - Verlustleistung: 900 mW
Produkttyp: Analoge Schalter-ICs
Fabrikpackungsmenge: 2500
Unterkategorie: Schalt-ICs
Versorgungsstrom - Max: 100 uA
Versorgungsart: Einzelversorgung, Doppelversorgung
Dauerstrom schalten: 30 mA
Breite: 4 mm
Teile-Aliase: DG441DY-E3
Stückgewicht: 666 mg

 

♠ Quad SPST CMOS Analogschalter

Die monolithischen Quad-Analogschalter DG441 und DG442 ermöglichen schnelles und fehlerarmes Schalten von Analog- und Audiosignalen. Der DG441 ist ein Öffnerschalter. Der DG442 ist ein Schließerschalter. Dank ihres niedrigen Durchlasswiderstands (typ. 50 Ω) und ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit (tON typ. 150 ns) eignen sich die DG441 und DG442 ideal für die Aufrüstung von DG201A/202-Sockeln. Die Ladungszufuhr am Drain wurde für den Einsatz in Sample-and-Hold-Schaltungen minimiert.

Um hohe Nennspannungen und eine überlegene Schaltleistung zu erreichen, basieren DG441 und DG442 auf dem Hochspannungs-Silizium-Gate-Prozess von Vishay Siliconix. Eine epitaktische Schicht verhindert ein Latchup.

Jeder Schalter leitet im eingeschalteten Zustand in beide Richtungen gleich gut und blockiert im ausgeschalteten Zustand die Eingangsspannungen bis zum Versorgungspegel.


  • Vorherige: SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60 V 50 A 113 W 15 mOhm bei 10 V
  • Nächste: SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5,7A 0,042Ohm

  • • Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition

    • Niedriger Einschaltwiderstand: 50 Ω

    • Geringe Leckage: 80 pA

    • Niedriger Stromverbrauch: 0,2 mW

    • Schnelle Schaltvorgänge – tON: 150 ns

    • Geringe Ladungseinspeisung – Q: – 1 pC

    • DG201A/DG202-Upgrades

    • TTL/CMOS-kompatible Logik

    • Einzelversorgungsmöglichkeit

    • Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

     

    • Audioumschaltung

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