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AMS1117-3.3 LDO Spannungsregler 800MA LDO LINEAR REG

AMS1117-3.3 LDO-Spannungsregler 800MA LDO LINEAR REG Ausgewähltes Bild
  • AMS1117-3.3 LDO Spannungsregler 800MA LDO LINEAR REG

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Texas Instruments
Produktkategorie: LDO-Spannungsregler
Datenblatt:AMS1117-3.3
Beschreibung: IC REG CHARG PUMP 5V 200MA 8WSON
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Beschreibung

Produkt Tags


  • Vorherige: STM32G0B1CEU6 ARM-Mikrocontroller – MCU Mainstream Arm Cortex-M0+ 32-Bit-MCU, bis zu 512 KB Flash, 144 KB RAM, 6x USART
  • Nächste: LIS3DHTR Beschleunigungsmesser MEMS Ultra Low-Power 3-Achsen „Nano“

  • • Eine neuere Drop-In-Alternative finden Sie unter TLV1117

    • Für Drop-in-Ersatz in der SOT-223-Paketkonfiguration mit fester Ausgabe und verbesserter Funktionalität siehe TLV761

    • Verfügbar in 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V, 5 V und einstellbaren Versionen

    • Platzsparende SOT-223- und WSON-Pakete• Strombegrenzung und Wärmeschutz

    • Ausgangsstrom: 800 mA

    • Leitungsregulierung: 0,2 % (maximal)

    • Lastregelung: 0,4 % (maximal)

    • Temperaturbereich:

    – LM1117: 0°C bis +125°C

    – LM1117I: –40°C bis +125°C

    • AC-Antriebsendstufenmodule

    • Händlernetzwerk und Server-Netzteil

    • Industrieller AC/DC

    • Ultraschallscanner

    • Servo-Antriebssteuermodule

    Der LM1117 ist ein Low-Dropout-Spannungsregler mit einem Dropout von 1,2 V bei 800 mA Laststrom.

    Der LM1117 ist in einer einstellbaren Version erhältlich, die die Ausgangsspannung mit nur zwei externen Widerständen von 1,25 V bis 13,8 V einstellen kann. Darüber hinaus ist das Gerät in fünf Festspannungen erhältlich: 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V und 5 V.

    Der LM1117 bietet Strombegrenzung und thermische Abschaltung. Die Schaltung enthält eine Zener-getrimmte Bandgap-Referenz, um eine Ausgangsspannungsgenauigkeit von ±1 % zu gewährleisten.

    Zur Verbesserung des Einschwingverhaltens und der Stabilität ist am Ausgang ein Tantalkondensator mit mindestens 10 µF erforderlich.

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